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光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強(qiáng)磁場(chǎng)原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡,采用模塊化的設(shè)計(jì)。利用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺(tái),用戶僅需要更換掃描頭和對(duì)應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時(shí)間:2025-04-30
英國(guó)Nanobean  電子束光刻機(jī)
英國(guó)nanobean nb5 電子束光刻機(jī),具有良好的穩(wěn)定性,平均正常運(yùn)行時(shí)間超過(guò)93%.
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)。適用于單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3” - 300mm尺寸),為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接,既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行,也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng),既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對(duì)單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國(guó)trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺(tái)上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨(dú)特的反應(yīng)器設(shè)計(jì)可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺(tái)階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實(shí)驗(yàn)室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全,設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù),在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈,周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過(guò)氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時(shí),會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時(shí)間:2025-04-30
德Zeiss 電子束直寫(xiě)儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫(xiě)儀,利用曝光抗蝕劑,采用電子束直接曝光,可在各種襯底材料表面直寫(xiě)各種圖形,圖形結(jié)構(gòu)(小線寬為10mm),是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件,光子晶體,低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時(shí)間:2025-04-30
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器:cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器,由于波長(zhǎng)短(紫外),短脈沖寬度,高脈沖能量,是激光器家族不可替代的品種!應(yīng)用上,準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜(pld),光纖光柵刻寫(xiě),lasik,光刻,微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時(shí)間:2025-04-30
英國(guó) DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái)
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái),提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時(shí)間:2025-04-30
英國(guó) Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b,在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時(shí)間:2025-04-30
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3,可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜,目全球主要超導(dǎo)量子實(shí)驗(yàn)室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)(量子比特和約瑟夫森結(jié))和量子器件,可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時(shí)間:2025-04-30
臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ald,在小巧的機(jī)身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可最多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。gemstar xt全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計(jì),使溫度均勻性高達(dá)99.9%,氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)
德國(guó) sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng),是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積(peald)是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó)Sentech光伏測(cè)量?jī)x
德國(guó)sentech光伏測(cè)量?jī)xmdpmap,靈活的自動(dòng)掃描系統(tǒng),是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過(guò)的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測(cè)量而設(shè)計(jì)的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度,從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測(cè)量(幾ms),研究不同深度的缺陷動(dòng)力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測(cè)量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-04-30
接觸角測(cè)量?jī)x
100s接觸角測(cè)量?jī)x是采用光學(xué)成像的原理,通過(guò)圖像輪廓分析方式測(cè)量樣品表面接觸角、潤(rùn)濕性能、表界面張力、表面能等性能,設(shè)備性價(jià)比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測(cè)量需要。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó)KRUSS標(biāo)準(zhǔn)型DSA25接觸角測(cè)量?jī)x
德國(guó)kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測(cè)量?jī)x,接觸角測(cè)量范圍:0-180,接觸角測(cè)量精度:±0.10,表界面張力測(cè)量范圍:0-1000mn/m;測(cè)量精度:0.01 mn/m
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000 系列紫外單面光刻機(jī)此系列包含六種型號(hào):ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外雙面光刻機(jī)
ure-2000s 系列雙面光刻機(jī),對(duì)準(zhǔn)精度:±2 mm(雙面,片厚 0.8mm),±0.8mm(單面)
更新時(shí)間:2025-04-30
美國(guó)TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡,可選擇多種鍍膜材料,精確的膜厚控制,樣品臺(tái)控制靈活,多個(gè)樣品座,樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫Γo湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計(jì),操作容易。
更新時(shí)間:2025-04-30
全自動(dòng)上側(cè)或后側(cè)光刻機(jī)
oai 6000 fsa 全自動(dòng)上側(cè)或后側(cè)光刻機(jī),具有完全自動(dòng)化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對(duì)齊,提供無(wú)與倫比的性價(jià)比。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó)KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),四探頭系統(tǒng),同時(shí)使用4只換能器
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),該系統(tǒng)同時(shí)使用8只換能器,能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時(shí)間:2025-04-30
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測(cè)特大件樣品
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó)KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,用于檢測(cè)大件樣品
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) KSI  單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,是實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機(jī)型。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,掃描機(jī)械機(jī)構(gòu)
更新時(shí)間:2025-04-30
日本JEOL熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f,它繼承了上一代廣獲好評(píng)的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時(shí),操作性能大簡(jiǎn)單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能,始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時(shí)間:2025-04-30
日本JEOL發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f,它繼承了上一代廣獲好評(píng)的性能如高的空間分辨率、高穩(wěn)定性、多種功能等的同時(shí),操作性能大簡(jiǎn)單化。該設(shè)備不依賴操作者的技能,始終能夠發(fā)揮其佳性能。
更新時(shí)間:2025-04-30
日本JEOL能譜儀
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統(tǒng)。通過(guò)與sem的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)聯(lián)動(dòng)使用,可以進(jìn)行大范圍的觀察和分析。 eds通過(guò)檢測(cè)被電子束激發(fā)出的樣品特征x射線,確定樣品含有的元素及成分比,可以進(jìn)行微區(qū)的點(diǎn)分析、線分析及面分析。
更新時(shí)間:2025-04-30
日本JEOL掃描電子顯微鏡
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500,是jeol intouchscope系列的新機(jī)型。 從設(shè)定視野到生成報(bào)告,用于分析的軟件整合于一體,加快了作業(yè)速度!是一款無(wú)縫操作,使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時(shí)間:2025-04-30
日本JEOL 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f,jsm-7200f的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機(jī)-jsm-7800f prime采用的浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù),標(biāo)配了ttls系統(tǒng)(through-the-lens system),因此無(wú)論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統(tǒng)機(jī)型有了很大的提升。
更新時(shí)間:2025-04-30
百及納米PancanNano電子束光刻機(jī)
新一代超高精度電子束光刻機(jī) p21,樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓,超高寫(xiě)場(chǎng)拼接精度,電子束閉環(huán)控制系統(tǒng),束流的時(shí)間及空間穩(wěn)定性高,高性能 30 kv 電子束光刻機(jī)。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子沉積機(jī)
德國(guó) sentech si 500 d 等離子沉積機(jī),具有特殊的等離子體特性,如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子沉積機(jī)
德國(guó)sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,控溫基片電,可選配低頻混頻,全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件,采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù),具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子沉積機(jī)
pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div> 更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子刻蝕機(jī)
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí)),包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子刻蝕機(jī)
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計(jì)相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡(jiǎn)單快速的樣品加載功能,從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī),兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝;小型化和高度模塊化;sentech控制軟件
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子刻蝕機(jī)
德國(guó)sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī),代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ),采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù),為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-04-30
德國(guó) Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機(jī)
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng),感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái),低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置icp等離子源,動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī),主要型號(hào)有:ure-2000a,ure-2000b,ure-20000/35,ure-20000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17.由中國(guó)科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī),中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)。曝光面積: 200mm×200mm
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī),中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn),曝光面積:150mmx150mm
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī),中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn),曝光面積:100mmx100mm
更新時(shí)間:2025-04-30
紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī),中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn),曝光面積:4 英寸 ,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動(dòng)化程度高)和高校教學(xué)科研 (可靠性好,演示方便) 。
更新時(shí)間:2025-04-30
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機(jī)
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的,完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時(shí)間:2025-04-30
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)
德國(guó) picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī),156 mm x 156 mm硅片800~1000片/批次(雙面/背對(duì)背),高達(dá)400 mm x 600 mm玻璃基板30~50片/批次(雙面/背對(duì)背),(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時(shí)間:2025-04-30
高級(jí)型原子層沉積機(jī)
picosun p-300 advanced ald 高級(jí)型原子層沉積機(jī).156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(雙面/背對(duì)背),高達(dá)300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(雙面/背對(duì)背);roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動(dòng)轉(zhuǎn)載,用工業(yè)機(jī)器人實(shí)現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝 .
更新時(shí)間:2025-04-30
高級(jí)原子沉積機(jī)
picosun p-300b advanced ald 高級(jí)原子沉積機(jī),基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次(標(biāo)準(zhǔn)間距),200mm晶圓25+2片/批次(標(biāo)準(zhǔn)間距),(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時(shí)間:2025-04-30

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